IBM三星开发VTFET芯片技术：性能提升200%

目前半导体工艺已经发展到了5nm，明年三星台积电都在抢3nm工艺首发，之后还会有2nm工艺，再之后的1nm节点又是个分水岭了，需要全新的半导体技术。

IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片，现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET(垂直传输场效应晶体管)技术，它与传统晶体管的电流水平方向传输不同，是垂直方向传输的，有望进军1nm及以下工艺。

根据IBM及三星的说法，VTFET技术有2个优点，一个是可以绕过现在技术的诸多性能限制，进一步扩展摩尔定律，另一个就是性能大